第一章 单元测试
1、单选题：
十进制数25用8421BCD码表示为( )。
选项：
A:0010 0101
B:1001011
C:100101
D:10 101
答案: 【0010 0101
】
2、单选题：
在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是( )。
选项：
A:（256）10
B:（1024）10
C:（127）10
D:（255）10
答案: 【（255）10
】
3、单选题：
以下表达式中符合逻辑运算法则的是( )。
选项：
A:C·C=C2
B:0＜1
C:A+1=1
D:1+1=10
答案: 【A+1=1
】
4、多选题：
以下代码中为无权码的为（ ）。
选项：
A:8421BCD码
B:格雷码
C:5421BCD码
D:余三码
答案: 【格雷码
;余三码
】
5、判断题：
逻辑变量的取值，１比０大。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
第二章 单元测试
1、单选题：
以下电路中常用于总线应用的有( )。
选项：
A:CMOS与非门
B:漏极开路门
C:OC门
D:TSL门
答案: 【TSL门
】
2、单选题：
要使TTL与非门工作在转折区，可使输入端对地外接电阻RI( )。
选项：
A:＞RON
B:＜ROFF
C:＞ROFF
D:ROFF＜RI＜RON
答案: 【ROFF＜RI＜RON
】
3、单选题：
与CT4000系列相对应的国际通用标准型号为( )。
选项：
A:CT74LS低功耗肖特基系列
B:CT74L低功耗系列
C:CT74H高速系列
D:CT74S肖特基系列
答案: 【CT74LS低功耗肖特基系列
】
4、多选题：
三态门输出高阻状态时，( )是正确的说法。
选项：
A:用电压表测量指针不动
B:测量电阻指针不动
C:相当于悬空
D:电压不高不低
答案: 【用电压表测量指针不动
;测量电阻指针不动
;相当于悬空
】
5、判断题：
TTL与非门的多余输入端可以接固定高电平。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
第三章 单元测试
1、单选题：
组合逻辑电路中的冒险是由于（ ）引起的。
选项：
A:电路未达到最简
B:逻辑门类型不同
C:电路有多个输出
D:电路中的时延
答案: 【电路中的时延
】
2、单选题：
用取样法消除两级与非门电路中可能出现的冒险，以下说法哪一种是正确并优先考虑的？（ ）
选项：
A:在输出级加负取样脉冲
B:在输入级加正取样脉冲
C:在输出级加正取样脉冲
D:在输入级加负取样脉冲
答案: 【在输出级加正取样脉冲
】
3、单选题：
当二输入与非门输入为（ ）变化时，输出可能有竞争冒险。
选项：
A:00→10
B:01→10
C:11→01
D:10→11
答案: 【01→10
】
4、多选题：
与十进制数（53）10等值的数或代码为（ ）。
选项：
A:(1101010)2
B:(0101 0011)8421BCD
C:(110101)2
D:(101 0011)8421BCD
答案: 【(0101 0011)8421BCD
;(110101)2
】
5、判断题：
多位加法器采用超前进位的目的是简化电路结构。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
第四章 单元测试
1、单选题：
N个触发器可以构成能寄存( )位二进制数码的寄存器。
选项：
A:N+1
B:2N
C:N-1
D:N
答案: 【N
】
2、单选题：
在下列触发器中，有约束条件的是（ ）。
选项：
A:同步RS F/F
B:主从JK F/F
C:主从D F/F
D:边沿D F/F
答案: 【同步RS F/F
】
3、单选题：
一个触发器可记录一位二进制代码，它有（ ）个稳态。
选项：
A:3
B:0
C:2
D:1
答案: 【2
】
4、多选题：
对于T触发器，若原态Qn=0，欲使新态Qn+1=1，应使输入T=（ ）。
选项：
A:0
B:Q
C:
D:1
答案: 【
;1
】
5、判断题：
RS触发器的约束条件RS=0表示不允许出现R=S=1的输入。
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
第五章 单元测试
1、单选题：
对于T触发器，若原态Qn=0，欲使新态Qn+1=1，应使输入T=（ ）。
选项：
A:1
B:0
C:
D:Q
答案: 【1
】
2、单选题：
请选择正确的RS触发器特性方程式( )。
选项：
A:
B:
(约束条件为
)
C:
D:
答案: 【 (约束条件为)
】
3、单选题：
请选择正确的T触发器特性方程式( )。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【
】
4、多选题：
描述触发器的逻辑功能的方法有（ ）。
选项：
A:状态转换真值表
B:特性方程
C:状态转换卡诺图
D:状态转换图
答案: 【状态转换真值表
;特性方程
;状态转换卡诺图
;状态转换图
】
5、判断题：
D触发器的特性方程为Qn+1=D，与Qn无关，所以它没有记忆功能。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
第六章 单元测试
1、多选题：
脉冲整形电路有（ ）。
选项：
A:555定时器
B:多谐振荡器
C:施密特触发器
D:单稳态触发器
答案: 【施密特触发器;单稳态触发器】
2、单选题：
555构成的多谐振荡器可产生（ ）。
选项：
A:锯齿波
B:三角波
C:矩形脉冲
D:正弦波
答案: 【矩形脉冲】
3、判断题：
施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
4、判断题：
石英晶体多谐振荡器的振荡频率与电路中的R、C成正比。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
5、判断题：
施密特触发器可用于将三角波变换成正弦波。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
第七章 单元测试
1、判断题：
D/A转换器的最大输出电压的绝对值可达到基准电压VREF。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
2、判断题：
D/A转换器的位数越多，能够分辨的最小输出电压变化量就越小。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
3、判断题：
D/A转换器的位数越多，转换精度越高。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
4、判断题：
A/D转换器的二进制数的位数越多，量化单位△越小。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
5、判断题：
A/D转换过程中，必然会出现量化误差。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
第八章 单元测试
1、多选题：
一个容量为1K×8的存储器有 个存储单元。（ ）
选项：
A:8K
B:8000
C:8
D:8192
答案: 【8K;8192
】
2、单选题：
要构成容量为4K×8的RAM，需要 片容量为256×4的RAM。( )
选项：
A:4
B:2
C:8
D:32
答案: 【32
】
3、单选题：
寻址容量为16K×8的RAM需要 根地址线。( )
选项：
A:16
B:14
C:16K
D:8
E:4
答案: 【14】
4、多选题：
PROM、PLA、PAL三种可编程器件中，（ ）是可编程的。 ( )
选项：
A:PROM的或门阵列
B:PROM的与门阵列
C:PAL的与门阵列
D:PAL的与门阵列或门阵列
答案: 【PROM的或门阵列;PAL的与门阵列
;PAL的与门阵列或门阵列】
5、单选题：
用PROM进行逻辑设计时，应将逻辑函数表达式表示成（ ）。( )
选项：
A:最简“或—与”表达式
B:最简“与—或”表达式
C:标准“与—或”表达式
D:标准“或—与”表达式
答案: 【标准“与—或”表达式】
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