第一章 单元测试
1、单选题：
对PN结电击穿描述不正确的是（ ）。
选项：
A:PN结电击穿时，在外电压撤除后能够恢复原状态
B:雪崩击穿属于电击穿
C:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的
D:稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的
答案: 【齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的】2、单选题：
2AP9表示的是（ ）。
选项：
A:18世纪30年代到18世纪末
B:18世纪70年代到19世纪中期
C:18世纪60年代到18世纪末
D:18世纪60年代到19世纪上半期
答案: 【18世纪30年代到18世纪末】3、单选题：
对二极管模型的描述不正确的是（ ）。
选项：
A:二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关
B:二极管的恒压降模型，硅管导通压降0.7V，锗管导通压降0.2V
C:二极管理想模型，正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大
D:二极管折线模型，看成是0.5V的电源和一个电阻串联，此时二极管电流大于1mA
答案: 【二极管小信号模型中的等效电阻值与二极管工作的Q点无关】4、单选题：
如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（ ）。
选项：
A:0V
B:-12V
C:-10V
D:-8V
答案: 【0V】5、单选题：
如图所示，设二极管为理想二极管，则A端的输出电压为（ ）。
选项：
A:600Ω，1/8W
B:500Ω，1W
C:600Ω，1W
D:500Ω，1/8W
答案: 【600Ω，1/8W】
第二章 单元测试1、单选题：
晶体三极管形成原理描述不正确的是（ ）。
选项：
A:由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较低
B:到达基区的电子很容易穿过集电结
C:到达基区的空穴很容易穿过发射结
D:由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高
答案: 【由于基区很薄，电子和空穴在基区复合的概率较高】2、单选题：
对晶体三极管放大电路的工程常识描述不正确的是（ ）。
选项：
A:放大电路的输入信号电流一般是微安级的电流
B:放大电路的输出功率一般是瓦特级
C:放大电路的输入信号电压一般是毫伏甚至是微伏级电压
D:放大电路的输出信号电流一般是几毫安
答案: 【放大电路的输出功率一般是瓦特级】3、单选题：
对共基极放大电路特性描述不正确的是（ ）。
选项：
A:由于无结电容影响，常用于放大高频信号
B:输入电阻小，对前一级放大电路或信号源的带负载能力要求不高
C:放大电路的输出信号与输入信号同相
D:输出电阻大，带负载能力较差
答案: 【输入电阻小，对前一级放大电路或信号源的带负载能力要求不高】4、单选题：
对多级放大电路性能描述不正确的是（ ）。
选项：
A:多级放大电路的频带带宽比任何一级放大电路的频带带宽都窄
B:多级放大电路的输入电阻为第一级放大电路的输入电阻
C:多级放大电路的输出电阻为最后一级放大电路的输出电阻
D:多级放大电路的电压增益等于各级放大电路电压增益分贝值之积
答案: 【多级放大电路的电压增益等于各级放大电路电压增益分贝值之积】5、单选题：
已知b = 100，RS= 1 kW，RB1= 62 kW，RB2= 20 kW, RC= 3 kW，RE = 1.5 kW，RL= 5.6 kW，VCC = 15 V。则静态工作点 分别为：（ ）。
选项：
A:20μA，2mA,6V
B:15μA，1.5mA, 6V
C:10μA，1mA,10.5V
D:30μA，3mA, 6V
答案: 【20μA，2mA,6V】
第三章 单元测试1、单选题：
测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（ ）。
选项：
A:可变电阻区
B:预夹断临界点
C:截止区
D:饱和区
答案: 【】2、单选题：
对N沟道增强型场效应管工作原理描述不正确的是（ ）。
选项：
A:栅极和源极之间加直流电压大于开启电压时，漏极和源极之间加正向电压，有漏极电流产生
B:栅极和源极之间不加电压时，无导电沟道产生
C:当漏极和源极之间加正向电压超过预夹断电压时，漏极电流减少
D:栅极和源极之间加直流电压时，产生导电沟道
答案: 【】3、单选题：
在使用MOSFET时，下列描述不正确的是（ ）。
选项：
A:焊接FET时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场
B:P型衬底接低电位，N型衬底接高电位
C:由于FET的结构对称性，其漏极和源极在任何情况下都可以任意互换，其伏安特性几乎无变化
D:GaAs MESFET正越来越多地应用于高频放大和数字逻辑电路中
答案: 【】4、单选题：
如图所示耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 MW，RS = 2 kW，RD= 12 kW ，VDD = 20 V。IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，则 ID是（ ）。
选项：
A:4mA
B:3mA
C:1mA
D:2mA
答案: 【】5、单选题：
采用二阶低通滤波器进行滤波时，设截止频率为 ，则10 处的增益与 处的相差：（ ）。
选项：
A:20dB
B:60dB
C:40dB
D:80dB
答案: 【
第四章 单元测试1、单选题：
与单管共射放大电路放大倍数一致的差动放大电路是（ ）
选项：
A:双端输入单端输出
B:单端输入单端输出
C:单端输入双端输出
D:双端输入双端输出
答案: 【】2、单选题：
对共模抑制比描述不正确的是（ ）
选项：
A:共模抑制比反映的是差动放大电路抑制共模信号的能力
B:共模抑制比越大，电路抑制共模信号的能力越强
C:噪声属于共模信号
D:电路的差模增益为50，共模增益为0.05，则共模抑制比为40dB
答案: 【】3、单选题：
对集成运放参数描述不正确的是（ ）
选项：
A:输入直流误差特性都作为运放精度的指标
B:输入失调电压是由于差动放大电路结构不对称引起的
C:输入偏置电流是指集成运放两个输入端静态电流的平均值
D:输入失调电流是指输入电压为零时，流入放大器两端的动态基极电流之差
答案: 【】4、单选题：
如图所示电路所实现的功能是（ ）
选项：
A:4mA
B:2mA
C:1mA
D:3mA
答案: 【】5、单选题：
对集成电路描述不正确的是（ ）
选项：
A:集成电路体积小，性能好
B:把整个电路的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路
C:模拟集成电路的直流偏置技术采用电流源电路来实现
D:集成电路中的各级放大电路之间采用电容耦合方式进行的
答案: 【
第五章 单元测试1、单选题：
对电阻的热噪声描述不正确的是（ ）
选项：
A:热噪声是传导电流的自由电子随机的热运动引起的
B:纯电抗元件具有热噪声
C:电阻元件有热噪声
D:热噪声电压是指电子随机热运动而产生的随时间变化的电压
答案: 【2、单选题：
对共模抑制比描述不正确的是（ ）
选项：
A:静电噪声
B:热噪声
C:闪砾噪声
D:散粒噪声
答案: 【
关于散粒噪声的描述不正确的是（ ）
选项：
A:散粒噪声具有白噪声性质
B:由于发射极电流和集电极电流无规则的波动引起的
C:散粒噪声是三极管噪声的一个重要来源
D:散粒噪声具有瑞利分布
答案: 【】4、单选题：
电路如图所示，输出与输入之间的关系是（ ）
选项：
A:对数运算
B:指数运算
C:开立方运算
D:开平方运算
答案: 【5、单选题：
利用乘法器实现解调功能时，乘法器输出后的模块是（ ）
选项：
A:带通滤波器
B:低通滤波器
C:高通滤波器
D:全通滤波器
答案: 【
第六章 单元测试1、单选题：
使带负载能力强的反馈是（ ）
选项：
A:电压负反馈
B:电流负反馈
C:电压正反馈
D:电流正反馈
答案: 【2、单选题：
在深度负反馈条件下，不正确的是（ ）
选项：
A:输入电流与反馈电流几乎相等
B:放大倍数只与反馈系数相关
C:放大倍数与不带负反馈时的放大倍数有关
D:输入电压与反馈电压几乎相等
答案: 【】3、单选题：
如图所示电路中，RE所引入的反馈是（ ）
选项：
A:电流并联负反馈
B:电流串联负反馈
C:电压并联负反馈
D:电压串联负反馈
答案: 【】4、单选题：
对反馈放大电路描述不正确的是（ ）
选项：
A:引入交流反馈是为了改善放大电路的性能
B:引入电流反馈是为了稳定输入电流
C:引入直流反馈是为了稳定放大电路的静态工作点
D:引入电压反馈是为了稳定输出电压
答案: 【5、单选题：
使电路的输入电阻较高的反馈是（ ）
选项：
A:并联负反馈
B:并联正反馈
C:串联正反馈
D:串联负反馈
答案: 【】
第七章 单元测试1、单选题：
有一OTL电路，其电源电压VCC=16V，。在理想情况下，可得到最大输出功率为（ ）
选项：
A:16W
B:64W
C:8W
D:4W
答案: 【】2、单选题：
在基本OCL功放电路中
设输入信号为正弦波，可以推算出其最大的输出功率约为（ ）
选项：
A:36W
B:9W
C:27W
D:18W
答案: 【3、单选题：
OCL功放电路属于（ ）
选项：
A:甲乙类放大
B:乙类放大
C:甲类放大
D:丙类放大
答案: 【】4、单选题：
提高功率BJT的可靠性，其主要的途径是，使用时要降低额定值。那么下列降低额定值错误的是：
选项：
A:在最坏的条件下 ( 包括冲击功耗在内) , 工作功耗不应超过器件最大工作环境温度下的最大允许功耗的80%。
B:在最坏的条件下(包括冲击电压在内),工作电压不应超过极限值的80%。
C:工作时 , 器件的结温不应超过器件允许的最大结温的80%。
D:在最坏的条件下(包括冲击电流在内),工作电流不应超过极限值的80%。
答案: 【】5、单选题：
下列不是功率器件特点的是（ ）
选项：
A:并联正反馈
B:串联负反馈
C:串联正反馈
D:并联负反馈
答案: 【
第八章 单元测试1、单选题：
对LC振荡电路描述不正确的是（ ）
选项：
A:电路存在正反馈
B:电容三点式振荡电路属于LC振荡电路
C:电路的振荡频率 D:LC振荡电路主要用来产生高频信号
答案: 【
】2、单选题：
对开关电容滤波器描述不正确的是（ ）
选项：
A:与数字滤波器相比较，处理速度快，整体结构简单
B:可实现高精度高稳定滤波，便于集成
C:开关电容滤波器主要是应用在集成电路中
D:其工作频率较高
答案: 【3、单选题：
对带通滤波电路描述不正确的是（ ）
选项：
A:带通滤波器的英文缩写为BPF
B:输入信号先通过低通滤波电路，再通过高通滤波电路来实现
C:双T带阻滤波电路属于上述滤波电路
D:输入信号先通过高通滤波电路，再通过低通滤波电路来实现
答案: 【4、多选题：
下列传递函数表示带通滤波器的是（ ）
选项：
A:B:
C:
D:
答案: 【
】5、单选题：
对石英晶体振荡电路描述不正确的是（ ）
选项：
A:在电路中，晶振串联接入一个电容后，并不影响并联谐振频率
B:石英晶体振荡电路的频率稳定度高
C:石英晶体有两个谐振频率，两个频率相差较大
D:Q值越大，频率稳定度就越高
答案: 【
第九章 单元测试1、单选题：
将方波积分得到三角波，为了使三角波的峰-峰值与方波的峰-峰值相近，积分电阻和积分电容应该（ ）
选项：
A:增加电阻和电容值
B:减少电阻和电容值
C:RC的乘积与信号周期相当
D:RC的乘积与信号半周期相当
答案: 【】2、单选题：
关于电压比较器的描述，错误的是：
选项：
A:迟滞电压比较器抗干扰能力较强
B:电压比较器存在正反馈
C:过零电压比较器属于单门限比较器
D:单门限电压比较器抗干扰能力不强
答案: 【3、单选题：
对电压比较器描述不正确的是（ ）
选项：
A:过零电压比较器属于单门限比较器
B:迟滞电压比较器抗干扰能力较强
C:单门限电压比较器抗干扰能力不强
D:电压比较器存在正反馈
答案: 【4、单选题：
电路如图所示，输出的波形为（ ）
选项：
A:锯齿波
B:三角波
C:方波
D:脉宽波
答案: 【】5、单选题：
用现有的方波产生同频的PWM波，正确的是（ ）
选项：
A:方波→积分器→过零比较器
B:方波→积分器→可调电压比较器
C:方波→微分器
D:都不正确
答案:
第十章 单元测试1、单选题：
对整流后的滤波电路描述不正确的是（ ）
选项：
A:输出直流电流小且负载几乎不变时，采用电容输入式滤波电路
B:滤波电路一般有电容输入式和电感输入式两大类
C:输出电流大且负载电流大的大功率场合，采用电感输入式滤波电路
D:电容滤波和电感滤波都是用来使输出电流变得平滑
答案: 【】2、单选题：
设交流电源电压周期为 ,对负载电阻和滤波电容乘积选择正确的是（ ）
选项：
A:B:
C:
D:
答案: 【
】3、单选题：
对稳压电源质量指标描述不正确的是（ ）
选项：
A:温度系数表示输出电压的温度稳定性
B:输入电压调整因数反映了输入电压波动对输出电压的影响
C:纹波抑制比表示为输入纹波电压有效值与输出纹波电压有效值之比的对数的20倍
D:输出电阻反映了负载电流变化对输出电压的影响
答案: 【】4、单选题：
对开关稳压电源描述不正确的是（ ）
选项：
A:是一个带负反馈的闭环有差调节系统
B:其输出的纹波小
C:其调整管工作在开关状态
D:利用控制调整管导通的占空比来调整和稳定输出
答案: 【】5、单选题：
对串联反馈式稳压电源描述不正确的是（ ）
选项：
A:由取样电路、比较电路、基准电路和调整电路四部分组成
B:输入电流等于输出电流
C:都不对
D:输入电压一定要比输出电压高
答案: 【
