2021知到答案 无机材料科学基础（陕西理工大学） 最新智慧树满分章节测试答案

第三章 单元测试

1、多选题：
对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（ ）。
选项：
A:间隙正离子
B:正离子空位
C:负离子空位
D:间隙负离子
答案: 【间隙正离子;
负离子空位】

2、单选题：
固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但发生点阵畸变，性能变化。所形成的固溶体包括有限固溶体和无限固溶体两种类型，其中（ ）。
选项：
A:结构相同不是形成固溶体的条件
B:结构相同是无限固溶的充要条件
C:结构相同是有限固溶的必要条件
D:结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件
答案: 【结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件】

3、多选题：
按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（ ）。
选项：
A:热缺陷
B:非化学计量缺陷
C:电荷缺陷
D:杂质缺陷
答案: 【热缺陷;
非化学计量缺陷;
电荷缺陷;
杂质缺陷】

4、单选题：
位错的滑移是指位错在何种力的作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变（ ）。
选项：
A:化学力
B:热应力
C:外力
D:结构应力
答案: 【外力】

5、单选题：
热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottky defect）时，（ ）。
选项：
A:正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
B:正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
C:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小
D:正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
答案: 【正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加】

第四章 单元测试

1、单选题：
硅酸盐玻璃的结构是以硅氧四面体为结构单元形成的（ ）的聚集体。
选项：
A:近程无序，远程有序
B:近程有序，远程有序。
C:近程无序，远程无序
D:近程有序，远程无序
答案: 【近程有序，远程无序】

2、单选题：
在硅酸盐熔体中，当R=O/Si减小时，相应熔体组成和性质发生变化，熔体析晶能力（ ）。
选项：
A:不变
B:不确定
C:增大
D:减小
答案: 【减小】

3、单选题：
可以根据3T曲线求出熔体的临界冷却速率。熔体的临界冷却速率越小，就（ ）形成玻璃。
选项：
A:缓慢
B:越容易
C:越难
D:越快
答案: 【越容易】

4、单选题：
当O/Si比趋近于4时，Li2O-SiO2、Na2O-SiO2、K2O-SiO2三种熔体的粘度大小次序为（ ）。
选项：
A:K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2
B:Na2O-SiO2＜ Li2O-SiO2＜K2O-SiO2
C:Li2O-SiO2＜K2O-SiO2＜Na2O-SiO2
D:Li2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜K2O-SiO2
答案: 【K2O-SiO2＜Na2O-SiO2＜Li2O-SiO2】

5、单选题：
Si:O趋近于1/2时硅酸盐晶体的结构类型为（ ）。
选项：
A:层状
B:架状
C:岛状
D:链状
答案: 【架状】

6、单选题：
过冷度越大，相应的成核位垒越小，临界晶核半径越小，析晶能力（ ）。
选项：
A:不变
B:越小
C:0
D:越大
答案: 【不变】

7、单选题：
过冷度愈大，临界晶核半径越小，相应地相变（ ）。
选项：
A:越小
B:不受影响
C:越大
D:愈易进行
答案: 【愈易进行】

8、单选题：
在硅酸盐熔体中，当R＝O/Si减小时，相应熔体组成和性质的变化是：非桥氧百分数（ ），熔体粘度增大，熔体析晶倾向减小。
选项：
A:增大
B:不变
C:0
D:减小
答案: 【减小】

第五章 单元测试

1、多选题：
为提高陶瓷坯釉的附着力，应降低（ ）。
选项：
A:

B:

C:

D:

答案: 【
;

】

2、单选题：
粗糙度对液固相润湿性能的影响是（ ）
选项：
A:粗糙度对润湿性能无影响
B:固体表面越粗糙，越易被润湿
C:不一定
D:固体表面越粗糙，越不易被润湿
答案: 【不一定】

3、单选题：
为了提高液相对固相的润湿性，在固-气和液-气界面张力不变时，必须使液-固界面张力（ ）。
选项：
A:升高
B:保持不变
C:降低
D:有时升高，有时降低
答案: 【升高】

4、单选题：
固体的表面能与表面张力在数值上不相等，一般说来，同一种物质，其固体的表面能（ ）液体的表面能。
选项：
A:等于
B:大于
C:小于
D:小于等于
答案: 【大于】

5、单选题：
判断重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内，垂直方向的层间距与体内各自是否相同（ ）。
选项：
A:相同；相同
B:不同；相同
C:相同；不同
D:不同；不同
答案: 【不同；相同】

第六章 单元测试

1、多选题：
相的主要特点有（ ）。
选项：
A:相与相之间有界面，越过界面时性质突变
B:一个相在物理性质和化学性质上都是微观尺度的均匀，且只含有一种物质
C:相与物质的数量多少无关，也与物质是否连续无关
D:一种物质可以有几个相
答案: 【相与相之间有界面，越过界面时性质突变;
相与物质的数量多少无关，也与物质是否连续无关;
一种物质可以有几个相】

2、单选题：
盐水溶液中的独立组元数是（ ）。
选项：
A:3
B:2
C:1
D:4
答案: 【2】

3、单选题：
单元系统的相图中，相界线上的自由度为（ ）。
选项：
A:0
B:3
C:1
D:2
答案: 【1】

4、多选题：
Si02高低温型转变的特点包括（ ）
选项：
A:体积变化对生产影响小
B:结构变化小
C:体积变化小
D:转变速度快
答案: 【结构变化小;
体积变化小;
转变速度快】

5、单选题：
判断三元系统相图中界线的性质用到的规则是（ ）。
选项：
A:重心规则
B:杠杆规则
C:连线规则
D:切线规则
答案: 【切线规则】

第七章 单元测试

1、单选题：
在离子型材料中，影响扩散的缺陷来自两个方面：热缺陷和掺杂点缺陷。由它们引起的扩散分别称为（ ）。
选项：
A:无序扩散和有序扩散
B:稳定扩散和不稳定扩散
C:自扩散和互扩散
D:本征扩散和非本征扩散
答案: 【本征扩散和非本征扩散】

2、单选题：
稳定扩散（稳态扩散）是指在垂直扩散方向的任一平面上，单位时间内通过该平面单位面积的粒子数（ ）。
选项：
A:随时间而变化
B:不随时间而变化
C:随高度而变化
D:随位置而变化
答案: 【不随时间而变化】

3、单选题：
在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（ ），使得扩散系数增大。
选项：
A:增加缺陷浓度
B:增加缺陷浓度，使晶格发生畸变
C:降低缺陷浓度
D:使晶格发生畸变
答案: 【增加缺陷浓度，使晶格发生畸变】

4、单选题：
扩散过程与晶体结构有密切的关系，扩散介质结构与扩散的关系是（ ）。
选项：
A:越疏松；越困难
B:越紧密；越困难
C:越疏松；活化能越大
D:越紧密；活化能越小
答案: 【越紧密；越困难】

5、单选题：
空位扩散是指晶体中的空位跃迁入邻近原子，而原子反向迁入空位，这种扩散机制适用于（ ）的扩散。
选项：
A:置换型固溶体
B:各种类型固溶体和间隙型固溶体
C:间隙型固溶体
D:各种类型固溶体
答案: 【置换型固溶体】

第八章 单元测试

1、单选题：
A，B进行反应生成AmBn,为扩散控制的固相反应，若DB》DA，则在AmBn-A界面上，反应物B的浓度CB为（ ）
选项：
A:1
B:2
C:不确定
D:0
答案: 【0】

2、判断题：
两固相反应，增大压力有助于颗粒的接触面积，加速物质传递过程，使反应速度增加；有液相参加的固相反应，提高压力不表现积极作用，甚至适得其反。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

3、判断题：
固相反应过程主要包括界面上的化学反应和产物内部物质传递两个步骤。因此，除反应物的化学组成、特性和结构状态以及温度、压力等因素外，凡是可能活化晶格，促进物质的内、外扩散作用的因素，都会对反应产生影响。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

4、判断题：
杨德方程适用于固相反应稳定扩散的反应初期。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

5、判断题：
金斯特林格采用杨德球状模型，但放弃了扩散截面不变的假设。因此，金斯特林格方程能够描述转化率很大情况下的固相反应。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

第九章 单元测试

1、判断题：
调幅分解属于连续型相变。它是一种无热力学能垒、无形核的固态相变。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

2、判断题：
一般而言，随熔体性质不同，自发结晶所需的过冷度可以不同，但都包含晶核生成和晶体长大两个过程。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

3、单选题：
成核-长大型相变是材料中常见的一种相变，如结晶釉的形成。成核-长大型相变是由（ ）的浓度起伏开始发生相变，并形成新相核心。
选项：
A:其他几项均不对
B:程度小，范围小
C:程度大，范围大
D:程度大，范围小
答案: 【程度大，范围小】

4、单选题：
在成核－生长机制的液－固相变过程中，其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较，有如下关系（ ）。
选项：
A:非均匀成核势垒＝均匀成核势垒
B:非均匀成核势垒≥均匀成核势垒
C:非均匀成核势垒≤均匀成核势垒
D:视具体情况而定，其他三种均可能
答案: 【非均匀成核势垒≤均匀成核势垒】

5、单选题：
按热力学方法分类，相变可以分为一级相变和二级相变，一级相变是在相变时两相化学势相等，其一阶偏微熵不相等，因此一级相变（ ）。
选项：
A:有相变潜热，并伴随有体积改变
B:无相变潜热，并伴随有体积改变
C:无相变潜热，无体积改变
D:有相变潜热，无体积改变
答案: 【有相变潜热，并伴随有体积改变】

第十章 单元测试

1、单选题：
从工艺的角度考虑，下列选项中不是造成二次再结晶的原因的是（ ）
选项：
A:烧结温度过低
B:原始粒度不均匀
C:烧结速率太快
D:坯体成型压力不均匀
答案: 【烧结温度过低】

2、单选题：
目前常用γGB晶界能和γSV表面能之比值来衡量烧结的难易，若材料γGB / γSV 越大，则( )
选项：
A:其他几种情况均有可能
B:对烧结无影响
C:愈难烧结
D:愈容易烧结
答案: 【愈容易烧结】

3、判断题：
间隙固溶体中溶质浓度越高，那么溶质所占的间隙越多，供扩散的空余间隙越少，即z值越小，导致扩散系数下降。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】

4、判断题：
晶界上原子排列混乱，不存在空位，所以空位机制扩散的原子在晶界处无法扩散。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】

5、单选题：
在烧结过程的传质方式中，不会使坯体致密的是（ ）
选项：
A:扩散传质
B:流动传质
C:蒸发-凝聚传质
D:溶解-沉淀传质
答案: 【扩散传质】