题目顺序是随机的，使用查找功能（Ctrl+F）进行搜索
单项选择题
题目：多晶硅属于（）答案：金刚石结构
题目：二元相图通常采用（）的坐标系。答案：温度-浓度（T-x）图
题目：根据晶胞外形即极边长度之间的关系和晶轴之间的夹角情况，而不涉及晶胞中原子的具体排列情况，可将所有晶体分成（）个晶系，（）种布拉菲点阵。答案：7、14
题目：关于二氧化硅以下说法错误的是（）答案：石英是地壳中分布很少的矿物
题目：关于硅单质说法错误的是（）。答案：具有类似金属的塑性
题目：关于硅的化学性质说法错误的是（）。答案：硅材料的一个重要优点就是硅表面很不容易氧化
题目：关于四氯化硅以下说法错误的是（）答案：不溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
题目：关于位错密度说法错误的是（）。答案：通常情况下制得位错密度较小的材料
题目：观察晶体中位错最简单的方法是（）。答案：浸蚀观察法
题目：硅晶体的解理面有（）答案：{111}晶面和{110}晶面
题目：面心立方结构晶胞中的原子数为（）答案：4
题目：漂晶现象的原因在于（）。答案：液面上这些位置不能保持正驱动力
题目：室温一个大气压下，液态水的自由度为（）。答案：2
题目：西门子法作为硅的提纯工艺，所用的原料主要是（）: P型硅半导体; 99.9999%（6个9）的为太阳能级硅; 99.999999999%（11个9）的为电子级硅; 95%-99%的冶金级硅答案：95%-99%的冶金级硅
题目：下列属于面缺陷的是（）: 位错; 空洞; 空位; 晶界答案：晶界
题目：液态水、冰、水蒸气共存时，独立组元数为（）。答案：1
题目：一般热处理时的原子扩散主要与（）有关: 答案：空位
题目：以下（）不是自然界中的硅同位素。答案：32Si
题目：杂质原子与基体原子尺寸相当，容易形成（）答案：置换原子
题目：正温度梯度与负温度梯度相比，（）。答案：正温度梯度时结晶潜热只能通过固相而散出，相界面的推移速度受固相传热速度所控制
多项选择题
题目：不能用于区分晶体与非晶体的是（）答案：是否具有确定的熔点; 原子排练是否有序
题目：采用适当的原料配比，都能得到解决或部分解决是（）。答案：在固液两相区内生长晶体或是配料偏离同成分点时温度波动导致固相成分波动引起生长条纹; 晶体冷却时越过溶线引起脱溶沉淀; 晶体成分偏离理想配比引起点缺陷
题目：关于白炭黑说法准确的是（）。答案：白碳黑是在特殊设计的炉子里在1370K下用四氯化硅在氧气流经过气相氧化制得的; 非常细小颗粒和极大的表面积; 具有化学惰性不会与硫化而引入的过氧化物反应; 硅氧烷橡胶里的主要增强填料
题目：关于单晶硅的晶体结构说法正确的是（）。答案：硅原子轨道杂化以后，在sp3轨道上有4个未成对的价电子; 硅原子所有价电子都被束缚在共价键上，没有自由电子，所以不是导体; 共价键的饱和性使得硅最多只能形成4个共价键; 共价键的方向性使得每个硅原子都和周围4个最近邻的原子组成一个正四面体
题目：关于点缺陷说法错误的是（）。答案：点缺陷使得滑移更容易进行
题目：关于固溶体与中间相说法错误的是（）。答案：Cu-Ni合金属于中间相; 固熔体一般具有较高的熔点及硬度
题目：关于硅的电阻率说法错误的是（）。答案：N型半导体中也有自由电子，但数量很少，称为少数载流子
题目：关于硅的卤化物说法错误的是（）。答案：一般都是无毒的
题目：关于晶体的宏观表面说法正确的是（）。答案：表面最活跃的位置是台阶的边缘处; 从原子的尺度来看，十分粗糙而凹凸不平; 宏观表面基本上由一系列平行的原子密排面及相应的台阶组成的
题目：关于临界晶核说法错误的是（）。答案：临界半径与过冷度ΔT无关; 均匀形核与非均匀形核的临界晶核大小不同”
题目：关于三氯氢硅说法正确的是（）。答案：可由硅粉与氯化氢合成而得; 可在高温高压下用氢还原四氯化硅生成三氯氢硅; 熔点-128℃，沸点31.5℃; 无色透明液体
题目：关于石英说法错误的是（）。答案：由一个个的简单SiO2分子组成
题目：关于位错的观察，说法正确的是（）。答案：石英砂; 硅酸盐
题目：解理面通常是晶面间距较大的晶面。在金刚石结构中，下面晶面的晶面间距最大的是（）。答案：{111}
题目：金刚石结构的晶胞中原子数为（），配位数为（）。答案：8、4
题目：两侧晶粒位向差为1°的晶界属于（）。答案：小角度晶界
题目：热力学平衡条件包括（）。答案：相平衡; 热平衡; 力学平衡
题目：下列不属于面缺陷的是（）。答案：长程有序; 解理性; 各向异性; 固定熔点
单项选择题
题目：柏氏矢量说明了畸变发生在什么晶向，是一个没有大小的量。答案：错
题目：点缺陷的平衡浓度随温度升高呈指数关系增加。答案：对
题目：硅晶体的半导体性源于共价键。答案：对
题目：硅是通过自由电子导电的，所以载流子就是自由电子。答案：错
题目：硅烷就是甲硅烷。答案：错
题目：硅在地壳中的丰度为25.90%，仅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。答案：对
题目：滑移的方向是与位错线平行的为刃型位错。答案：错
题目：甲硅烷的化学性质很活泼，有强的氧化性。答案：错
题目：可很方便制备得到位错很少的多晶硅片。答案：错
题目：内能是随缺陷增加而增加的，所以空位越多越不稳定。答案：错
题目：平衡状态下，位错密度随温度升高呈指数关系增加。答案：错
题目：普通玻璃是无定形二氧化硅。答案：错
题目：刃型位错和螺型位错的判断可以通过晶体发生局部滑移的方向是与位错线垂直还是平行来区分。答案：对
题目：水晶是石英的单晶体，是一种坚硬、脆性、难溶的无色透明的固体。答案：对
题目：一氧化硅是硅和二氧化硅的均匀混合物在低压下加热到1450K以上生成的挥发性物质 答案：对
题目：有些杂质即使在硅中含量超过1015cm-3，也不会对电池的转换效率产生明显影响。答案：对
题目：在半导体的P-N结中，浓度梯度形成的扩散作用与内建电场的电场力的作用达到平衡。答案：对
题目：在常温下硅对多数酸是稳定的。答案：对
题目：在常温下硅能与稀碱溶液反应。答案：对
题目：在绝对温度零度和无外界激发的条件下，硅晶体没有自由电子存在，完全不导电。答案：对
配伍题
答案：{B. 空位} {A. 位错} {C. 相界}
答案：{B. 可以从河砂中水洗去掉粘土等杂质和进行筛分得到} {A. 沸点31.5℃，室温下无色透明液体} {C. 在潮湿空气中与水蒸气发生水解作用会产生烟雾}
答案：{B. 熔点-70℃，沸点57.6℃} {C. 熔点-128℃，沸点31.5℃} {A. 熔点-185℃，沸点-111.8℃}
答案：{B. 制造冶金硅的主要原料之一} {A. 可作为西门子法提纯硅材料的中间产物} {C. 大量地用于制高纯硅，高温易热解}
答案：{B. 99.999999999%} {C. 95%-99%} {A. 99.9999%}
答案：{C. 制成晶体二极管后即能整流又能检波} {A. 通过掩蔽、光刻、扩散等工艺，可在一个或几个很小的硅晶片上集结成一个或几个完整的电路} {B. 可以把光能转化成电能}
答案：{C. 在不同方向上，晶体的物理性质不同，如电阻率、导电性能、导热性能、介电常数、光的折射、弹性、硬度等} {B. 粒子排列具有三维周期性、对称性} {A. 晶体常具有沿某些确定方位的晶面劈裂的性质}
答案：{C. 1} {B. 2} {A. 4}
答案：{C. 石墨在高温高压的条件下转变为金刚石} {B. 盐水溶液结晶} {A. 水汽凝结为冰晶}
答案：{两组元在液态、固态都无限互溶} {L→α+β} {L+α→β}
