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单项选择题
题目：（）是生产太阳能级硅材料的主要技术。答案：改良西门子法
题目：代号2205的工业硅，其中铁、铝、钙三种杂质的含量分别是（）。答案：0.20％、0.20％、0.05％
题目：对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（）。答案：节约时间
题目：改良西门子法所采用的提纯工艺是（）。答案：精馏
题目：工业硅加工产品的附加值最高的是（）。答案：生产光纤、多晶硅、单晶硅等通讯、半导体器件和太阳能电池
题目：关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）答案：几乎无法效果去除
题目：关于分子筛说法错误的是（）。答案：对非极性分子具有较强的亲和力
题目：硅石和还原剂在低于1500℃时，发生的反应是（）。答案：无化学反应，仅为预热
题目：金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）。答案：{111}面
题目：晶体生长过程中产生的缺陷称为（）。答案：原生长缺陷
题目：区熔法制备单晶硅时，需要（）。答案：不需要坩埚
题目：生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入（）作为保护气体炉体内通常是（）。答案：低压的氩气
题目：太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）。答案：位错
题目：微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于（）。答案：从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
题目：吸附时不发生任何化学变化，是（）。: 物理吸附; 以上皆不是; 化学吸附; 不可逆过程答案：物理吸附
题目：在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）答案：底下是SiC，其上面是产品工业硅
题目：占据晶格间隙位置的杂质原子为（）。答案：间隙杂质原子
题目：CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）。答案：缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长
题目：Dash工艺主要解决的是（）。答案：减少缺陷（位错）
多项选择
题目：大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。答案：防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破; 吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险
题目：工业硅生产过程中，要注意的是（）。答案：通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度; 及时捣炉，帮助沉料; 保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体; 及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比
题目：工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。答案：具有较大的内表面，吸附容量大; 具有一定的机械强度，抗磨损; 有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀; 选择性高
题目：关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。答案：生长时都需借助要采用籽晶; 都需要采用真空气氛保护
题目：关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。答案：放热反应; 温度升高后反而将影响产品收率; 要加热到所需温度才能进行
题目：关于晶转说法正确的是（）。答案：过高的晶转会使固液界的形状太凹; 在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动
题目：关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。答案：被两条曲线分为三个区域
题目：关于SiO说法正确的是（）。答案：SiO很容易发生化学反应; 温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到; 能在1500℃与C发生反应; 能与氧气发生反应
题目：硅烷法的特点是（）。答案：不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅; 硅烷气体易于用吸附法提纯; 易于分解为非晶硅; 硅烷易爆炸
题目：化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。答案：中间化合物的分离提纯; 中间化合物的合成; 中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅
题目：晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。答案：点缺陷的产生; 点缺陷的复合; 点缺陷的扩散
题目：具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。答案：〈210〉晶向{110}晶面族; {111}晶面族〈111〉晶向”
题目：磷在硅中很容易去除，在于。答案：磷在硅中的分配系数小于1; 磷在硅熔液中很快得到蒸发
题目：石墨坩埚的寿命取决于（）。答案：石墨坩埚的形状; 在晶体生长过程中的受热程度; 承受的重量; 石墨的材质
题目：位错影响说法正确的是（）。答案：刃型位错也可能作为一排受主; 位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心; 位错能够改变载流子浓度; 刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子
题目：无坩埚区域提纯（）。答案：也可用于晶体生长; 避免了坩埚的污染; 熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
题目：以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。答案：化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发; 物理．吸附的进行吸附是可逆的
题目：由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。答案：通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度; 熔体稳定; 晶体直径大; 对多晶形状要求低
题目：直拉单晶炉的主室包括（）。答案：热绝缘筒和地盘; 石墨加热器; 石墨坩埚; 石英坩埚
题目：CZ法产生位错的环节和方式有（）。答案：籽晶中的位错延伸、增殖; 晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力; 籽晶表面损伤、机械磨损裂痕; 单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力
判断题
题目：闭路循环系统是指生产中的各种物料得到充分的利用，排出的废料极少。答案：对
题目：从安全性的角度考虑，改良西门子法优于硅烷法。答案：对
题目：单位长度位错线的能量正比于柏格斯矢量长度。答案：错
题目：对于一次熔化来说，正常凝固的提纯效果不如区域提纯的效果好。答案：错
题目：分子筛具有极性，对非极性分子具有较强的亲和力。答案：错
题目：改良西门子法的原料主要是硅石。答案：错
题目：改良西门子法能对产生的氢气、氯化氢、氯硅烷等副产物进行回收利用。答案：对
题目：改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用，排出的废料极少。答案：对
题目：硅是自然界分布最广泛的元素之一，是介于金属和非金属之间的半金属。答案：对
题目：化学提纯时，中间化合物提纯到所需要的纯度后，在后续的还原工艺要求不需要很高。答案：错
题目：化学吸附是放热过程，而物理吸附是吸热过程。答案：错
题目：甲硅烷常温下为气体，室温下就容易分解。答案：错
题目：精馏是实现多级部分汽化和多级部分冷凝的实用技术。答案：对
题目：冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比，前者的成本更低，但是电耗更多。答案：错
题目：由于能量的原因，晶体中空位和自间隙原子在一定温度下的平衡浓度是一定的。答案：对
题目：只通过湿法冶金技术来提纯硅材料，是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。答案：对
题目：CZ和FZ均采用感应线圈进行加热。答案：对
题目：FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。答案：错
题目：MCZ法磁致粘滞性控制了流体的运动，也减少了熔体的温度波动。答案：对
题目：SiH4不能采用精馏技术进行提纯答案：错
配伍题
答案：{C. 55%} {B. 40%} {A. 5%}
答案：{C. 防止过多的SiC生成} {B. 分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行} {A. 避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiO}
答案：{B. 吸附} {A. 精馏} {C. 物理提纯}
答案：{C. 拉速越慢，LSTDs密度越低} {B. 过饱和空位凝聚而成的空位团} {A. 随着拉速的增加而增加}
答案：{C. 中间产物的还原} {A. 中间产物的合成} {B. 工业硅的合成}
答案：{C. 间歇操作} {A. 半连续操} {B. 连续操作}
答案：{B. 处理温度处于300～500℃} {A. 热处理温度处于550～850℃} {C. 适当的温度下进行热处理时会脱溶}
答案：{A. 1.25} {B. 0.07} {C. 0.8}
答案：{A. 减少位错} {C. 肩部夹角接近180°，这样可以提高多晶硅的利用率} {B. 硅片取材的部位}
答案：{C. 纯度和耐热性能要求很搞} {A. 底部比较厚，以起到较好的绝热效果} {B. 电阻会随着使用次数的增加而升高}
答案：{A. 危害大} {B. 浓度低，影响小} {C. 增强机械性能}
