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单选题
| 题目：（）是制造光伏器件和微波器件及集成电路的重要材料。 | 答案：砷化镓 |
| 题目：（）由于其抗辐射能力强、耐高温和化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。 | 答案：碳化硅 |
| 题目：薄膜电池迅速发展的最大优势是（）。 | 答案：成本优势 |
| 题目：传统硅晶太阳电池的性能随温度升高而（）。 | 答案：下降 |
| 题目：单结GaAs太阳电池的转换效率已达（）。: 26%; 27%; 25%; 24% | 答案：27% |
| 题目：单晶硅电池的颜色多为（）。: 深蓝; 绿色; 白色; 金色 | 答案：深蓝 |
| 题目：多晶硅电池的形状为（）。: 正方形; 长方形; 圆形; 任意形状 | 答案：正方形 |
| 题目：非晶硅的禁带宽度比单晶硅大，这样制成的非晶硅太阳电池的（）相对较高。 | 答案：开路电压 |
| 题目：硅晶体中任一原子最多形成（）个共价键。: | 答案：4 |
| 题目：晶体管的工作温度高温限决定于（）的大小。 | 答案：禁带宽度 |
| 题目：染料敏化纳米晶太阳电池的制造成本比硅晶太阳电池的要（）。 | 答案：低 |
| 题目：商用太阳电池中实际应用的主要为（）。 | 答案：硅晶电池 |
| 题目：太阳电池材料缺陷属于下列（）影响太阳电池转换效率的主要因素。: | 答案：载流子迁移复合损失 |
| 题目：太阳电池串叠时，能够吸收较高能量光谱的电池放在（）。 | 答案：上层 |
| 题目：太阳电池的实验室光电转换效率（）工业化生产光电转换效率。 | 答案：高于 |
| 题目：太阳电池组件目前使用最多的是（）封装方式。 | 答案：层压封装 |
| 题目：太阳电池组件通常是由多个电池（）而成。 | 答案：串联或并联 |
| 题目：下列太阳电池不属于薄膜电池系列的是（）。 | 答案：GaAs |
| 题目：有“第三代太阳电池”之称的是（）太阳电池。 | 答案：染料敏化纳米晶（DSSC） |
| 题目：铸造多晶硅太阳电池的光电转换效率要比直接单晶硅低（）。 | 答案：1%～2% |
多选题
| 题目：20世纪70年代初，（）开始引人到电池的制造工艺中，太阳电池转换效率有了较大提高。 | 答案：背表面场; 浅结表面扩散; 表面织构化; 细栅金属化 |
| 题目：20世纪80年代初，主要把（）引入到电池的制造工艺中。 | 答案：降低接触复合效应; 后处理提高载流子寿命; 改进陷光效应; 表面钝化技术 |
| 题目：薄膜电池材料包括（）。 | 答案：多晶硅（微晶硅）薄膜; CuInSe2(CuInS2)薄膜; CdS薄膜; 非晶硅薄膜; CdTe |
| 题目：薄膜太阳电池得到迅速发展的原因主要有（）。 | 答案：转换效率提高空间大; 成本优势; 利用范围更加广泛 |
| 题目：薄膜太阳电池中（）已商业化。 | 答案：碲化镉（CdTe）电池; 非晶硅（a-Si）电池; 铜铟镓硒（CIGS）电池 |
| 题目：常用的半导体材料的特性参数有（）。: | 答案：位错密度; 电阻率; 非平衡载流子寿命; 禁带宽度; 载流子迁移率 |
| 题目：对于太阳电池来说，为了得到高的转换效率，要求材料有大的（）和适中的（）。 | 答案：非平衡载流子寿命; 禁带宽度 |
| 题目：多晶硅结构在阳光下可通过控制氮化硅减反射膜的厚度，呈现（）等不同的颜色。 | 答案：绿色; 深蓝; 金色 |
| 题目：硅晶材料包括（）。 | 答案：带状多晶硅; 铸造多晶硅; 直拉单晶硅 |
| 题目：硅晶太阳电池存在着固有弱点主要有（）。 | 答案：相对成本较高; 尺寸相对较小; 光吸收系数远远低于其他太阳光电材料; 光电转换理论效率相对较低 |
| 题目：近年来，一些新型高效电池不断问世，主要包括（）。 | 答案：大面积光伏纳米电池; 用化学束外延(CBE)技术生产的多结Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池; 硅-硅串联结构太阳电池 |
| 题目：近年来针对单晶硅太阳电池转换效率开发了许多新技术，主要有（）。 | 答案：绒面技术; 单双层减反射膜; 激光刻槽埋藏栅线技术; 高效背反射器技术; 背点接触电极克服表面栅线遮光问题 |
| 题目：可做太阳电池材料的材料有（）。 | 答案：薄膜电池材料; 硅晶材料; 其他类型太阳电池材料; GaAs半导体材料 |
| 题目：染料敏化纳米晶太阳电池的优势主要有（）。 | 答案：制备工艺简单，成本低; 对环境危害小; 光的利用效率高; 效率转换方面基本上不受温度影响 |
| 题目：砷化镓GaAs太阳电池的缺点主要有（）。 | 答案：比较脆，易损坏; 不利于在空间应用; 单晶晶片价格比较昂贵 |
| 题目：砷化镓GaAs太阳电池的优点主要有（）。 | 答案：禁带宽度大; 耐辐射性能好; 可以做得很薄 |
| 题目：太阳电池组件具有的主要特点有（）。 | 答案：满足不同电压输出要求; 有足够的机械强度; 有明显的电性能增益 |
| 题目：填充因子是最大输出功率与电池的（）两者乘积的比值。 | 答案：开路电压; 短路电池 |
| 题目：与其他太阳电池相比，制造单晶硅太阳电池（）。 | 答案：结晶中缺陷较小; 制造技术比较成熟; 所用硅材料比较丰富; 转换效率较高 |
| 题目：制约单晶硅太阳电池光电转换效率进一步提高的主要技术障碍有（）。 | 答案：内部复合损失; 表面复合损失; 电池表面栅线遮光影响; 光传导损失; 电池表面光反射损失 |
判断题
| 题目：传统硅晶太阳电池的性能随温度升高而下降。 | 答案：对 |
| 题目：单晶硅太阳电池的结构为P-N结构。 | 答案：对 |
| 题目：单晶硅太阳电池的转化效率在硅晶太阳电池中最高。 | 答案：对 |
| 题目：当P型半导体材料和N型半导体材料相连接，将在晶体中P型和N型材料之间形成界面，即P-N结。 | 答案：对 |
| 题目：非晶硅太阳电池的结构最常采用的是P-N结构。 | 答案：错 |
| 题目：高纯硅制造多晶硅，不是拉成单晶，而是熔化定向凝固成正方形的硅锭。 | 答案：对 |
| 题目：共价键的饱和性是指一个电子和另外一个电子配对以后，就不能再和第三个电子配对。 | 答案：对 |
| 题目：共价键的方向性是指原子只能在特定的方向上形成共价键。 | 答案：对 |
| 题目：光电器件对半导体材料特性的要求中，高的灵敏度和短的弛豫时间二者难于兼顾。 | 答案：对 |
| 题目：硅晶体的半导体性源于共价键。 | 答案：对 |
| 题目：区熔（FZ）硅单晶主要用来制作晶体管和集成电路以及外延生长的衬地。 | 答案：错 |
| 题目：染料敏化纳米晶太阳电池的制造成本高于传统的硅晶太阳电池。 | 答案：错 |
| 题目：太阳电池的最高转换效率不可能达到100%。 | 答案：对 |
| 题目：太阳电池光电转换效率指的是照射到太阳电池表面上的阳光被转换成可用电流的光子数与入射光子总量的比例。 | 答案：对 |
| 题目：填充因子其值越小表明太阳电池的输出特性越好。 | 答案：错 |
| 题目：通常的工业硅（99.0-99.9%）具有半导体性能。 | 答案：错 |
| 题目：因光诱导衰减影响，非晶硅电池的效率随时间增加而逐渐降低。 | 答案：对 |
| 题目：直拉（CZ）硅单晶主要用来制作大功率整流元件和闸流管等电力电子器件。 | 答案：错 |
| 题目：重掺半导体材料的性质接近绝缘体，而高阻半导体材料性质则接近导体。 | 答案：错 |
| 题目：PN结形成电动势主要靠“内生电场”，而染料敏化技术主要靠电子的扩散作用形成电流。 | 答案：对 |
题目：将下列半导体材料的特性参数与其性质一一对应。
1). 禁带宽度 ( C )
{A:反映材料的导电能力; B:反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C:反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量}
2). 电阻率、载流子迁移率 ( A )
{A:反映材料的导电能力; B:反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C:反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量}
3). 非平衡载流子寿命 ( B )
{A:反映材料的导电能力; B:反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性; C:反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量}”
“题目：将下列半导体材料种类与代表材料一一对应。
1). 山东元素半导体 ( C )
{A:砷化镓; B:氧化物玻璃; C:硅}
2). 化合物半导体 ( A )
{A:砷化镓; B:氧化物玻璃; C:硅}
3). 无定形半导体材料 ( B )
{A:砷化镓; B:氧化物玻璃; C:硅}”
“题目：将下列硅太阳电池发展历程一一对应。
1). 1958年 ( A )
{A:硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B:把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C:把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中}
2). 20世纪70年代初 ( C )
{A:硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B:把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C:把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中}
3). 20世纪80年代初 ( B )
{A:硅太阳电池于1958年首先在航天器上得到应用; B:把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中; C:把背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造工艺中}”
“题目：将下列硅太阳电池种类与工业化生产光电转换效率一一对应。
1). 单晶硅 ( C )
{A:7～9%; B:15～17%; C:16～18%}
2). 多晶硅 ( B )
{A:7～9%; B:15～17%; C:16～18%}
3). 非晶硅 ( A )
{A:7～9%; B:15～17%; C:16～18%}”
“题目：将下列太阳电池种类一一对应。
1). 化合物晶体 ( A )
{A:砷化镓; B:染料敏化; C:铜铟镓硒}
2). 化合物薄膜 ( C )
{A:砷化镓; B:染料敏化; C:铜铟镓硒}
3). 有机染料 ( B )
{A:砷化镓; B:染料敏化; C:铜铟镓硒}”
“题目：将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。
1). 单晶硅太阳电池 ( C )
{A:12%; B:20.4%; C:25%}
2). 多晶硅太阳电池 ( B )
{A:12%; B:20.4%; C:25%}
3). 非晶硅单结太阳电池 ( A )
{A:12%; B:20.4%; C:25%}”
“题目：将下列太阳电池种类与实验室最大效率一一对应。
1). 多晶硅 ( C )
{A:11.83 %; B:12%; C:20.4%}
2). 非晶硅单结 ( B )
{A:11.83 %; B:12%; C:20.4%}
3). 非晶硅多结 ( A )
{A:11.83 %; B:12%; C:20.4%}”
“题目：将下列线切割经常出现的问题与可能的原因一一对应。
1). 断线 ( A )
{A:切割工艺出现异常; B:硅棒对接位置不好; C:加工好的硅片在空气中停留时间过长}
2). 跳线 ( B )
{A:切割工艺出现异常; B:硅棒对接位置不好; C:加工好的硅片在空气中停留时间过长}
3).花片 ( C )
{A:切割工艺出现异常; B:硅棒对接位置不好; C:加工好的硅片在空气中停留时间过长}”
“题目：将下列新型太阳电池的名称及其主要特性描述一一对应。
1). PREL ( C )
{A:埋栅; B:高效背表面反射器; C:发射极钝化及背面局部扩散}
2). BCSC ( A )
{A:埋栅; B:高效背表面反射器; C:发射极钝化及背面局部扩散}
3). BSR ( B )
{A:埋栅; B:高效背表面反射器; C:发射极钝化及背面局部扩散}”
“题目：将下列影响太阳电池光电转换效率的主要因素一一对应。
1). 反射遮荫等光学损失 ( C )
{A:温度及衰减损失; B:逆变器等电器损耗; C:封装材料透光率}
2). 载流子复合损失 ( A )
{A:温度及衰减损失; B:逆变器等电器损耗; C:封装材料透光率}
3). 连接转换等电学损失 ( B )
{A:温度及衰减损失; B:逆变器等电器损耗; C:封装材料透光率}”
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